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财联社（上海，编辑黄君芝）讯，近日，IBM和三星公布了一种新的半导体芯片设计，自称这种设计可以延续摩尔定律。这一突破性的架构将允许垂直电流流动的晶体管嵌入到芯片上，从而产生更紧凑的设备，并为智能手机长周期运行等铺平了道路。 l" a; I* H/ j+ w
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: H1 P9 B5 \1 S 据悉，新的垂直传输场效应晶体管（VTFET）设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术，从本质上讲，新设计将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不是目前大多数芯片上使用的左右水平布局。
" C5 n5 C8 @% \- i @1 r 根据IBM的说法，这种新的垂直结构允许在空间中装入更多的晶体管，同时还可以影响它们之间的接触点，以提高电流并节约能源。该公司表示，该设计可能会使性能翻倍，或者减少85%的能源消耗。 # e0 Y& ?# \6 r4 Q; J# b
IBM已经生产了带有这种新的VTFET架构的测试芯片，并设想它在许多领域扮演着改变游戏规则的角色。随着物联网的持续发展，这些芯片可以让海洋浮标和自动驾驶汽车等设备以更少的能源运行，并可能对加密货币挖矿等能源密集型计算过程产生类似的影响，降低其碳足迹。
/ b- l l. q; Y/ N" A! F 此外，根据IBM的说法，它还可以让宇宙飞船更高效，甚至让智能手机电池在不充电的情况下使用一周而不是几天。 " b9 T$ S! m1 ~( N R: D
IBM研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士说，“今天的技术声明是关于挑战传统，重新思考我们如何继续推进社会，并提供新的创新，以改善生活、业务和减少我们的环境影响。”
4 m5 [ ~, x. R# T, o) r( Z0 d “考虑到该行业目前在多个方面面临的限制，IBM和三星正在展示我们在半导体设计方面的联合创新的承诺，并共同追求我们所说的‘硬技术’。”他补充说。 & \! w% t( s0 j: P7 Y
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