|
* }* h j7 v' g: {4 g 财联社（上海，编辑黄君芝）讯，近日，IBM和三星公布了一种新的半导体芯片设计，自称这种设计可以延续摩尔定律。这一突破性的架构将允许垂直电流流动的晶体管嵌入到芯片上，从而产生更紧凑的设备，并为智能手机长周期运行等铺平了道路。 ) }& g% |' N! A+ b8 v
2 r. j0 }' J/ W6 C1 P* R
4 a: v8 B' V* {
 7 F' ^/ y7 u, s* ^! ?; U5 m
4 o2 L3 `5 a* }, W& h# R: k
# L2 `8 \5 x1 I* M5 G/ e 据悉，新的垂直传输场效应晶体管（VTFET）设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术，从本质上讲，新设计将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不是目前大多数芯片上使用的左右水平布局。 # V9 u1 @) ?- i9 z
根据IBM的说法，这种新的垂直结构允许在空间中装入更多的晶体管，同时还可以影响它们之间的接触点，以提高电流并节约能源。该公司表示，该设计可能会使性能翻倍，或者减少85%的能源消耗。
& H) O& k# ]) B, Y; N- g: |" {# o IBM已经生产了带有这种新的VTFET架构的测试芯片，并设想它在许多领域扮演着改变游戏规则的角色。随着物联网的持续发展，这些芯片可以让海洋浮标和自动驾驶汽车等设备以更少的能源运行，并可能对加密货币挖矿等能源密集型计算过程产生类似的影响，降低其碳足迹。
# D) E$ z$ ]' W: y" ^7 m 此外，根据IBM的说法，它还可以让宇宙飞船更高效，甚至让智能手机电池在不充电的情况下使用一周而不是几天。
/ p. m/ A* s- T3 M: ?) v IBM研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士说，“今天的技术声明是关于挑战传统，重新思考我们如何继续推进社会，并提供新的创新，以改善生活、业务和减少我们的环境影响。” / u. `2 g3 K) H' j: B
“考虑到该行业目前在多个方面面临的限制，IBM和三星正在展示我们在半导体设计方面的联合创新的承诺，并共同追求我们所说的‘硬技术’。”他补充说。
$ Q. P* N' X! M) E" H/ D
) a7 _& m! y0 x9 Y/ \/ V3 E
0 U: {$ K4 a! V5 i6 R( c
8 q. {" V* y# S
% Q! [0 x% y2 {3 m) g3 L+ ?: E Y! ^$ P; E' v m
| 
